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                                  太阳城娱乐网站_[交大伶俐]上海交大团队成就指明自组装单分子膜掺杂技能新偏向[

                                  [编者按]一百多年来,交大人用常识和伶俐缔造累累硕果,谱写了近当代史上的诸多“第一”。这是人才作育的伶俐、科学研究的伶俐、处事社会的伶俐、为国争光的伶俐。消息网特推出“交大伶俐”专栏,聚焦交大人的伶俐之光,揭示交大工钱国度成长和社会前进作出的重大孝顺。

                                  克日,上海交通大学密西根学院但亚平课题组在国际知名学术期刊《天然-通信》(Nature Communications)上颁发最新研究成就《Deep level transient spectroscopic investigation of phosphorus-doped silicon by self-assembled molecular monolayers》,论文描写了团队发明自组装单分子膜掺杂会在硅衬底引入碳缺陷,从而低落硅中磷杂质的电学激活率,研究指明白自组装单分子膜掺杂技能的研究偏向,为成长无缺陷态的单分子膜掺杂技能奠基了基本。本文的通信作者为但亚平传授,课题组博士生高雪娇和博士后官斌为配合第一作者。

                                  [交大聪明]上海交大团队成绩指明自组装单分子膜掺杂手艺新方向[

                                  传统的离子注入掺杂依靠高能离子轰击半导体晶体实现,半导体晶体常遭到粉碎,其电学机能因此恶化,并且杂质原子在半导体内随机漫衍,不能满意当前先辈集成电路制造工艺的需求。自组装单分子膜掺杂不会在半导体中引入物理损伤,并且可准确节制杂质漫衍,该技能在超浅结的形成、杂质剂量的节制、伟大几许布局的掺杂以及单个杂质原子的大局限操控等方面拥有庞大的隐藏上风,但有机分子载体有也许在半导体中引入碳缺陷,从而恶化器件的电学特征。

                                  但亚平课题组在此次颁发的论文中,初次回收低温霍尔效应和深能级瞬态谱等技能,直接视察到碳缺陷,并对碳缺陷态自己及其发生的电学影响举办了深入研究。但亚平传授引述审稿人的意见说:“单分子膜掺杂技能很是有潜力,,极有也许代替传统的离子注入技能,天下上有很多研究组正在举办相干研究。本论文发明白单分子膜掺杂技能的一个重要弱点,即会引入碳缺陷态,并对碳缺陷态深入研究。这对该规模的成长具有重要影响,是个庞大的前进,并为该技能最终得到贸易应用铺平了阶梯。”

                                  论文链接:https://www.nature.com/articles/s41467-017-02564-3

                                  配景先容:

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                                  但亚平现任上海交通大学出格研究员,交大密西根学院副传授,1999年本科结业于西安交通大学,2002年硕士结业于清华大学,2008年博士结业于美国宾夕法尼亚大学。博士结业后,在哈佛大学从事博士后研究,2012年插手交大密西根学院,同年入选中组部“青年千人打算”。但亚平传授的研究事变首要齐集在全硅基光电子和单原子电子学,为将来先辈集成电路和量子计较机技能提供要害办理方案。

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